产品图集
超薄、柔性、按你的线圈模切
纳米晶合金带材复合膜与胶层——RX 线圈、FPC 天线与低频 EMI 屏蔽的高磁导率层。
纳米晶合金带材复合膜与胶层——RX 线圈、FPC 天线与低频 EMI 屏蔽的高磁导率层。
四个让设计团队从铁氧体转向纳米晶的原因。
手表、耳机、卡片式 RX 的线圈背后只有 0.3–0.5 mm，而不是铁氧体板想要的 0.5–1 mm。纳米晶以更小的厚度达到同样的电感提升——含 0.06 mm 档。
充电对位不准时，磁通窜进电池与外壳变成涡流热。高 µ′ 纳米晶更有效地约束磁通，且公开行业测试显示同工况温升比铁氧体低约 7–8 ℃——请在你的模组上自行验证后再采信。
刚性铁氧体板在曲面穿戴外壳里会裂或悬空。F-N 是柔性带材：跟随弧度，且照样干净模切。
RX 线圈背后，你需要朝 TX 方向聚磁，同时保护背后的电池/PCB。F-N 单层薄片两者兼得——叠层里不再需要单独的屏蔽板。
裁切之前，先按你的实际工况点——Qi、Qi2 MPP 或定制 WPT 频率——验证片材。
Qi 1.x 覆盖 87–205 kHz；Qi2 MPP 固定 360 kHz（旧值 127.7 kHz 已过时）。我们在你的实际工作点而不是某个通用测试频率上表征 F-N。
片材越薄，组件有效磁导率越低。我们按你的厚度选择给出预期耦合范围，而不是承诺任何厚度下都能达到数据表数字。
DXF 进，带离型膜半切片出——单面背胶标准配置；双面胶或裸片可选。量产可走卷料。
我们寄推荐厚度加相邻一档的样品。在你真实的线圈与外壳上测耦合与温升——这才是有意义的规格。
典型值供选型参考——最终厚度根据你的线圈与实测结果确认。
| 项目 | XAK F-N 纳米晶 | 铁氧体片（典型） |
|---|---|---|
| 磁导率 µ′ | ≈ 13,000 @ 100 kHz | 100–150 @ 1 MHz |
| 饱和磁感应 Bs | 1.25 T | 约 0.3–0.5 T（Mn-Zn/Ni-Zn 类） |
| 厚度 | 0.06–0.4 mm | 0.05–1.0 mm（单层） |
| 形态 | 柔性带材、卷料、DXF 模切 | 烧结板或柔性复合片 |
| 温升 | 对位不准充电时更低（公开行业测试：同工况比铁氧体低约 7–8 ℃） | 基准 |
| 材料成本 | 较高 | 较低——成本敏感项目的默认选择 |
| 适用场景 | 超薄 RX、穿戴、发热或曲面模组、高耦合密度 | Z 向空间与预算都宽裕的标准 TX/RX |
我们纳米晶项目最集中的四类应用。
手机与穿戴设备充电中，每毫米厚度的耦合密度至关重要。已在 87–205 kHz（Qi）与 360 kHz（Qi2 MPP）工况点验证。
手表、戒指、TWS 充电盒里的薄 FPC 线圈，需要随柔性线路弯曲、按线圈外形模切的磁性背衬——这正是 F-N 的形态。
空间敏感的消费类组装中，线圈与天线背后的超薄磁通约束——最紧的叠层用 0.06 mm 档。
需要低频磁屏蔽或磁通控制、又不想要铁氧体板的重量与脆性的通信设备。
报价前我们必跑的三问决策。
工程师在从铁氧体切换设计前的常见问题。
不需要完整的规格书。有什么发什么——材料与厚度我们一起确认。
工作频率——Qi 87–205 kHz、Qi2 MPP 360 kHz，或你的定制 WPT 频率
线圈外形——DXF 或尺寸，有 TX 线圈也一并发来
空间预算——线圈背后可用厚度与间隙（mm）
目标——电感/耦合范围与温升上限
数量——样品需求与预估年用量
时间——台架测试需要样品的时间